在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
，导致Cp上的电压降低。反激开关MOSFET 源极流出的电流（Is）波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中，测的的波形的一些关键点不是很清楚，下面针对反激
2018-10-10 20:44
（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下
2024-09-18 09:58
基于Howland电流源的双极电流源
2019-07-26 06:15
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSF
2024-01-31 13:39
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶
2023-02-21 16:36
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测
2023-02-27 16:14
MOSFET栅极与源极之间加一个电阻?这个电阻有什么作用?
2024-12-26 14:01
mos管源极和漏极的区别 MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种晶体管，其目的是通过改变其栅极和源极端子之
2023-08-25 14:49
