本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的电阻小了，电流大了
2012-07-09 17:45
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏
2021-11-12 08:12
前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于机械的摩擦或碰触，绕组油漆局部
2016-08-24 16:02
基于Howland电流源的双极电流源
2019-07-26 06:15
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门
2021-12-30 07:40
。*3） 导通电阻使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。`
2021-07-14 15:17
1.肖特基二极管的电流源分析 电流源产生的电流流过正向肖特基二极管，此时系统的电压U为： 按题主的意思，肖特基二极
2021-12-31 06:26
1.题主的电流源分析 电流源产生的电流流过正向肖特基二极管，此时系统的电压U为： 按题主的意思，肖特基二极管是所谓“理想的”，因此它的正向电阻为零，于是有：
2022-01-03 06:56
本文记录以二极管连接的MOS作为负载的共源极放大器。1. 原理分析二极管连接的MOS管如下图所示。无论PMOS还是NMOS，当导通时，均工作在饱和区。等效电阻为Rx=V
2021-12-30 07:47
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
