康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件
2018-07-24 16:19
MOS管驱动电机，负载接在漏极端；MOS+运放组成的恒流源，负载也在漏极端。想问一下，负载可以放在源极吗？两者有什么区别
2021-07-08 18:07
电压，VIN为输入电压，VOUT为输出电压。输入与输出电压可以转换为MOSFET的漏源电压和栅源电压，如下式：VDS=V
2021-04-08 11:37
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是
2019-09-11 14:32
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集电压最高为700V。
2017-08-16 16:03
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V
2019-06-21 13:30
地在MOS管的漏-源稳态截止电压上，出现电压尖峰。我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极，为什么要说成
2017-07-22 11:57
