本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的电阻小了，电流大了
2012-07-09 17:45
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏
2021-11-12 08:12
前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于机械的摩擦或碰触，绕组油漆局部
2016-08-24 16:02
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小
2016-10-10 10:58
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门
2021-12-30 07:40
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。 三
2011-11-18 22:05
。*3） 导通电阻使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。`
2021-07-14 15:17
个确定值，根据硅片允许的最大工作结温TJ和裸露铜皮的温度TC，为常温25℃，就可以得到器件允许的最大的功耗PD，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗
2016-08-15 14:31
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充
2022-11-16 08:00
