MOS管驱动电机，负载接在漏极端；MOS+运放组成的恒流源，负载也在漏极端。想问一下，负载可以放在源极吗？两者有什么区别
2021-07-08 18:07
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏
2021-11-12 08:12
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V
2019-06-21 13:30
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件
2018-07-24 16:19
转换器拓扑图，其中Cgs、Cgd和 Cds分别为开关管MOSFET的栅源极、栅漏极和
2018-10-10 20:44
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，
2023-02-27 16:14
地在MOS管的漏-源稳态截止电压上，出现电压尖峰。我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极，为什么要说成
2017-07-22 11:57
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面
2024-06-13 10:07
