漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍
2024-01-31 13:39
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
2024-09-18 09:58
源极和漏极的区别 源极和漏
2023-12-07 15:48
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
mos管源极和漏极的区别 MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种晶体管，其目的是通过改变其栅极和
2023-08-25 14:49
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二
2023-11-14 16:04
本文的关键要点 ・漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和 MOSFET 寄生电容的谐振引起的。 ・在实际的版图设计中，很多
2023-06-21 08:35
什么是漏极？什么是源极？什么是栅极？栅极源极
2023-11-21 16:00
MOS芯片是一种常见的电子器件，其中MOS管（MOSFET）是一种常用的三端器件，包括源极（Source）、漏极（Dra
2024-01-10 15:34
（Source, S）和漏极（Drain, D）是两个关键的电极，它们与栅极（Gate, G）共同构成了MOS管的基本结构。以下是对MOS管源极和
2024-07-23 14:21
