场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断
2023-04-15 10:03
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同时，工艺、电压和
2023-11-16 16:15
集成电路、功率电子、模拟电路等领域扮演着至关重要的角色。本文将详细阐述MOSFET的结构和工作特性，并通过数字和信息进行具体说明。
2024-05-28 14:35
MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性更为重要，本文主要讨论静态
2018-06-29 11:10
对电阻温度检测器 (RTD) 的特性曲线和用于表征这些设备的常用标准（如 alpha 参数和 Callendar-Van Dusen 方程）进行建模。
2022-11-22 14:16
NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小（什么是温漂？你上网查查），整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量
2019-10-28 10:20
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。
2022-06-22 10:22
