，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡，这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET器件的内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导
2016-09-26 15:28
1：为啥MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加，即呈现正温度系数呢？2：为什么二极管的反向耐压是随温度上升而降低呢？以上此文都详细分析了其中的原理。
2020-09-17 13:58
格，因为他们要在非常规温度下工作。那么受温度影响晶振会发生什么变化呢？受外界的温度影响,造成的晶振偏频和不起振是很正常现象。 晶振的温度
2017-06-13 15:13
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
通过改型来的“贴片晶体”(左图），再后来出现了时下更流行的贴面音叉晶振(右图)，最小尺寸可达1210。音叉晶振的温度特性曲线是负二次方程曲线。呈现出以理想室温+25°C为中心的向下抛物线，温度走低或走高
2020-07-13 15:33
电阻应变片的温度特性-实验[实验目的]1．了解温度变化对应变测试系统的影响。2．熟悉应变电桥温度补偿的方法。[实验原理]1．应变片的
2008-06-04 11:03
晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡，是个5次函数关系，而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的，如要简单依赖温度传感器对晶振的
2013-12-17 16:10
电流，同样，最大VGS的和IDM也要满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。温度升高依赖于脉冲宽度、脉冲间的时间间隔、散热状况、以及脉冲电流波形和幅度。单纯满足脉
2016-08-15 14:31
`·随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将
2011-08-17 14:18
的容错率很低，一般是 ±10" ，而AT切一般是±30"。3. 频谱比较复杂，有多种振动模式，一般选用C模式，需要抑制其它振动模式。SC切割的温度特性曲线如下图：基于以上SC切割的优缺点，SC切割的石英晶体振荡器通常会应用于军事，航天，精密仪器
2020-07-01 11:38
