沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
陷阱等缺陷捕获，导致沟道内有效载流子数目大幅减少。此外，部分陷阱在俘获电子之后会变成带电中心，致使沟道表面的库仑散射效应加剧，沟道迁移率会进一步下降。
2024-10-16 11:29
罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型S
2011-10-12 09:35
通过将栅极放置在绝缘氧化层上来控制 MOSFET 沟道区的导电性。作为跨绝缘介电层电容感应的电场的结果，沟道的电导率由施加到栅极的电压控制。
2021-06-14 03:44
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2022-11-18 11:28
）时的工作状态。在截止区，MOSFET的沟道未形成，因此漏极电流（Id）为零。此时，功率MOSFET相当于一个关断的开关，其等效电路可以看作是一个无
2024-07-11 15:12
P沟道与N沟道MOSFET作为半导体器件中的关键元件，在电子电路设计中扮演着重要角色。它们各自具有独特的工作原理、结构特点以及应用场景。
2024-08-13 17:02
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就R
2018-03-09 14:28
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N
2021-05-27 12:18
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFE
2024-04-02 14:27
