N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
陷阱等缺陷捕获，导致沟道内有效载流子数目大幅减少。此外，部分陷阱在俘获电子之后会变成带电中心，致使沟道表面的库仑散射效应加剧，沟道迁移率会进一步下降。
2024-10-16 11:29
罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型S
2011-10-12 09:35
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极
2023-02-02 16:26
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Tra
2021-04-09 09:20
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳
2018-03-03 13:58
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选
2021-03-02 08:40
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N
2022-09-27 08:00
通过将栅极放置在绝缘氧化层上来控制 MOSFET 沟道区的导电性。作为跨绝缘介电层电容感应的电场的结果，沟道的电导率由施加到栅极的电压控制。
2021-06-14 03:44
