康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提
2019-08-09 07:03
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况
2021-01-22 06:45
意味着单栅电极面向翅片的两个相对侧（前栅极和后栅极）。 双栅极鳍式场效应晶体管在鳍片上方有一个介电层（称为硬掩模），以抑制电场。介电层可防止顶角处的寄生反转通道。栅极控制从侧面而不是从顶部（图3
2023-02-24 15:20
我的栅源漏明明没有在一起，为什么这里求解的时候就连在一起了呢？仅仅给漏极加了一个0.01 V为什么其他几个电极都是0.01 V?这是一个3D环绕栅结构，紫色区域为电极，
2021-11-27 18:29
主要的IGBT寄生电容有哪些？怎样去设计单正向栅驱动IGBT？单正向栅驱动IGBT有什么长处？
2021-04-20 06:43
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01
栅漏电流噪声特性是什么？栅漏电流噪声有哪几种模型？这几种模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53
