大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温栅
2024-01-04 09:41
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化层的厚度来达到这一目的。
2025-05-26 10:02
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层的厚度也不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压。栅
2024-08-02 15:37
本问开始介绍了什么是参比电极以及参比电极的基本要求，其次介绍了参比电极的作用和使用范围，最后介绍了参比电极使用方法以及常用的几种参比
2018-03-19 16:46
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层（Gate oxide）的厚度也在不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压。
2024-01-19 10:01
电气隔离栅是一种用于保护电气设备和人员安全的装置，它能够防止电流的意外流动，从而避免触电事故的发生。 电气隔离栅的作用 防止触电 ：电气隔离栅能够防止人员接触到带电部件，从而降低触电的风险。 保护
2024-09-29 18:07
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时，源漏之间就有了
2023-11-30 15:54
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。MOSFET
2024-10-29 10:45
