MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅
2023-11-30 15:54
大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温栅
2024-01-04 09:41
和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化层的厚度来达到这一目的。
2025-05-26 10:02
一、安全栅_结构形式，齐纳式安全栅1、电路中采用快速熔断器、限流电阻或限压二极管以对输入的电能量进行限制，从而保证输出到危险区的能量2、安装位置必须有非常可靠的接地系统，显然这样的要求是十分的苛刻
2017-08-09 14:39
安全栅的主要功能就是限制安全场所的危险能量进入危险场所，即限制送往危险场所的电压和电流。齐纳管Z用于限制电压。当回路电压接近安全限压值时，齐纳管导通，使齐纳管两端的电压始终保持在安全限压值以下。
2019-11-13 11:02
随着集成电路工艺技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低
2024-08-02 15:37
电气隔离栅是一种用于保护电气设备和人员安全的装置，它能够防止电流的意外流动，从而避免触电事故的发生。 电气隔离栅的作用 防止触电 ：电气隔离栅能够防止人员接触到带电部件，从而降低触电的风险。 保护
2024-09-29 18:07
随着集成电路工艺技术不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低
2024-01-19 10:01
