在电子管放大电路中，由于电子管的放大作用，很小的栅偏压变动就会造成屏流较大的变化，因此栅偏压不稳会造成电子管工作点的漂移。
2021-05-06 09:45
PRD1139是一款30至60V输入隔离反激式转换器，基于带有级联MOSFET的ADP1613升压稳压器IC。它使用初级侧调节来避免反馈光耦合器的功耗
2019-07-17 08:56
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2017-01-09 18:00
CMS3960是一款内置 MOSFET三相直流无刷电机驱动IC，集成故障输出、过压、过流、欠压、过温等多种保护功能。工作温度-20℃至85℃；提供ESOP16封装。广泛应用于风扇、水泵等小功
2023-03-02 09:41
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动
2021-09-17 07:19
性负载两端连接了一个简单的飞轮二极管，以在MOSFET将其“关断”时消散电动机产生的任何反电动势。由齐纳二极管与二极管串联形成的钳位网络也可用于允许更快地切换以及更好地控制峰值反向电压和压
2021-09-13 08:27
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
磁栅位移传感器是一种采用电磁方法记录磁波数目的位置检测传感器。具有制作简单，安装调整方便，对使用环境的条件要求低，对周围磁场抗干扰能力强，在油污、粉尘较多的场合下使用稳定性好，测量范围宽，测量精度
2017-07-13 11:32
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率M
2016-10-10 10:58
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
