康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可
2012-12-10 21:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可
2012-01-06 22:55
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET
2024-06-13 10:07
请问HMC952A怎HMC952A么有4个栅压，3个漏压啊，应该如何供电啊。求指导？
2018-08-17 07:22
氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，通常是无法将电压
2022-09-20 08:00
下管不会因上管在导通时出现的电压突变使下管的电容充电而将下管导通，所以会利用负栅压，使下管有更好的关断保护。但现在我们设备只用一组 ( 模块的下管或是单管 ) 作开关使用，而频率只在 500Hz，因为
2022-03-30 12:16
我看一个MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说，Vg中存在负电压，一定程度上加长了驱动延迟时间，要消除负压，然后又看了一个技术手册，专门介绍了一种负压驱动电路。如下图所示，所示可以负
2019-01-23 15:57
MOSFET自建模工具系统介绍从器件手册中获取MOSFET建模特性曲线Saber软件MOSFET直流特性中漏电流与栅源电压曲线（Id_Vgs)自建模一Saber软件
2017-04-12 20:43
