VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压，在管子工作时，这两端的电压应力不能超过最大值。在
2023-05-29 15:12
最大开关频率是栅极驱动芯片的重要性能指标，其表现会受到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面因素的制约。此外，如果半桥驱动集成了自举二极管，功耗的计算方式也会有所不同。本应用手册以NSD1026V为例，详细说明了栅极驱动芯片在不同条件下最大开关频率的估算方法及相关
2025-01-24 09:12
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。
2024-05-30 16:41
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在
2023-10-22 15:18
近日，以“AI的向新力”为主题的2024年联想创新开放日盛大开启，汇聚行业客户、合作伙伴、媒体记者等各界嘉宾，共同解锁科技未来密码。为期三天的科技盛宴，不仅将全面展示联想在“全栈AI”产品、方案和服务的最新进展，更创造了一个围绕创新科技深度交流的开放平台。
2024-12-02 17:19
影响MOSFET阈值电压的因素 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的半导体器件，具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点。MOSFET的阈值
2023-09-17 10:39
碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启
2023-06-02 14:09
1、最大工作电压允许加到电阻器两端的最大连续工作电压称为最大工作电压。在
2009-06-15 19:27
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子学中极为重要的器件之一，广泛应用于集成电路、电源管理、信号处理等多个领域。其核心特性之一便是其阈值电压（Threshold Voltage
2024-07-23 17:59
在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，这不仅会影响电路的稳定性，还可
2024-05-30 15:49
