是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压，在管子工作时，这两端的电压应力不能超过最大值。在
2023-05-29 15:12
最大开关频率是栅极驱动芯片的重要性能指标，其表现会受到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面因素的制约。此外，如果半桥驱动集成了自举二极管，功耗的计算方式也会有所不同。本应用手册以NSD1026V为例，详细说明了栅极驱动芯片在不同条件下最大开关频率的估算方法及相关
2025-01-24 09:12
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET
2023-02-20 17:21
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压
2018-10-24 14:55
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。
2024-05-30 16:41
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在
2023-10-22 15:18
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
