书上只以举例的形式说了NPN管子的放大饱和截止条件，我想问问是不是把NPN管子各状态满足的条件给反过来就是PNP管子的呢？
2023-05-15 10:52
方向N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。如果觉得上面两条不是很好记，教大家一个识别方法：不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，上面图片已经标出来了可以看一下。MOS管导通条件N沟道：Ug>Us时导通。（简单认为）Ug=Us时
2023-02-10 16:27
，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率
2018-11-28 14:28
电阻的阻值。问题2 右边说截止频率是1/τ,是不是说错了，应该分母再乘以2π。问题3 公式r=1/2πfc求电容的容抗时。这个公式有使用条件限制吗。非常感谢。
2013-03-02 19:56
了漂移区的掺杂浓度从而降低耐压吗？2、为什么电场由三角形变为梯形可以只需较薄的漂移区就可以提升耐压？3、为什么单极型的MOSFET没有FS层，而双极型的FRD和IGBT都有用到场截止层？为什么场截止层
2020-02-20 14:26
漏源电压保持截止时高电平不变，从图1可以看出，此部分有VDS与ID有重叠，MOSFET功耗增大;t3-t4区间：栅极电压从平台上升至最后的驱动电压(模块电源一般设定为12V)，上升的栅压使导通电
2019-09-25 07:00
截止IGBT（右） 同时，出现了一个新的概念--阳极短路IGBT（SA IGBT）：它允许将体二极管以MOSFET的方式内嵌到IGBT中。图2显示场截止沟道阳极短路（FS T SA）IGBT概念
2018-09-30 16:10
人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流ID是多少的状态呢？”。的确，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET
2019-05-02 09:41
额定值，另外，了解这些MOSFET的失效机理之后再进行电路设计和工作条件设置是非常重要的。下面是每篇文章的链接和关键要点汇总。什么是SOA（Safety Operation Area）失效本文的关键要点・
2022-07-26 18:06
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在
2019-04-09 04:58
