如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题：为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块，这些又分为不同电压等级和电流大小，那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同，如果不相同，哪个时间更长
2024-02-25 11:06
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
驱动信号和电源电压在MOSFET开通或关断时，产生很大的振荡，驱动波形如下：如果增加母线电容，振荡也会随着母线电压而增大。驱动和功率回路原理图如下 尝试过的方法：1）单独驱动上桥臂+母线加电压，没有
2021-01-08 22:52
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43
怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题？ 来纠正传统认识的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
由于某种原因，驱动PFC的PWM电平幅值只有8V，驱动电流不担心，用这么低的电平能否彻底开通MOSFET？虽然说现在的MOSFET貌似开启阈值都很低
2018-12-27 09:59
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
