电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率MOSFET的
2024-10-10 09:54
SD-WAN和专线在开通时间上有一定的区别。下面我将详细介绍它们的特点和开通时间上的差异。
2023-07-17 14:12
什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间？ 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种主要应用于功率电子装置中的半导体器件，其具有低导通压降和高关断速度等优点。开通
2024-02-20 11:19
本文主要讨论了影响现代 LDO 稳压器总启动时间的因素，提出了计算开通斜坡时间的数学基础，还介绍了浪涌电流计算、分析及最大压摆率相关内容。具体如下： *附件：揭秘 LDO 开通
2025-01-07 18:30
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压的原理？ MOSFET（MOS管）是一种广泛使用的半导体器件，它可以作为电路中的开关来控制电流的通断状态。MOSFET
2023-09-05 14:56
，高阈值的管子开通的上升沿是很长的，从关断到完全开通需要t0-t4这个时间。那么低阈值MOSFET的好处就说，这个上升沿的时间
2021-08-13 17:09
MOSFET的开关时间
2019-05-05 06:26
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时，功率器件就会被开通；而当门极电压低于开通阈值时，功率器件就会被关断。但
2022-11-29 10:16
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进
2022-04-19 10:28
