电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进
2022-04-19 10:28
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边
2018-06-11 07:51
LLC电路的ZVS零电压开通十分重要，如果能够保证ZVS，则无论是开关管的损耗，还是开关管的DS电压应力，都能够得到比较好的效果。全球30A的开发过程证明，MOSFET的DS电压应力较高的情况都是出现了硬开通。
2023-03-20 11:30
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。
2018-07-12 10:58
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。
2018-12-03 16:59
我们都知道，IGBT发生短路时，需要在10us或者更短的时间内关闭IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他参数来进行调节，如栅极电压VGE，母线电压等，但最终都是为了保证IGBT不会因为过热而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力较小，根本原因也是因为热，是在于
2022-08-07 09:55
电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上，MOSFET/IGBT
2024-01-20 17:08
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压
2022-07-08 16:50
