的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该
2017-02-24 15:05
时，Toff相应的改变，也就是改变fs，这种方式叫固定开通时间控制模式，也就是非常有名的COT控制模式，也称谷点电流模式。它的控制策略是固定开通时间，检测电流的方式是检
2017-03-08 17:17
到电流比较器的同相端。电流环检测是的续流侧的电流，电流放大信号连接到电流比较器的反相端。COT模式工作过程如下：（1）若初始的状态是高端的主开关管开通，电感激磁，电流线性上升，高端开关管导通一段固定的时间
2016-10-27 17:03
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断
2021-10-28 08:37
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通
2011-06-10 10:12
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通
2017-01-09 18:00
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边
2018-07-18 10:09
列出：图1：MOSFET导通电阻温度系数看另外的一个MOSFET的测量条件：在RDS(ON)的测量条件中，列出了测量电流，其中有一个隐含的条件，许多公司没有列出来，那就是在测量脉冲电流的时间。通常
2016-09-26 15:28
