的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该
2017-02-24 15:05
如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题：为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET
2025-02-26 14:41
在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来
2016-12-16 16:53
闭合回路所围的面积。如用导线连接应该使用双绞线或使用同轴电缆，以尽量减小分布电感。 开通和关断时间的配合与调整 由式(5)和式(8)可知，MOSFET的开通
2018-08-27 16:00
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时，Vgs
2018-10-24 14:55
关于ZVS，有人是这么说的：“电路的负载行为产生了一个滞后电流，这个滞后的电流对于管子的开通时刻提供了一个目标器件的负电流，在短暂的死区时间内负电流把接电容的电抽干，然后走体二极管，接着目标器件驱动
2025-04-08 14:21
尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师对于MOSFET开关过程仍然有一些疑惑，本文先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的
2016-11-29 14:36
常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块，这些又分为不同电压等级和电流大小，那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同，如果不相同，哪个时间更长
2024-02-25 11:06
