功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率M
2024-10-10 09:54
同步整流ic的开通关断机制核心依赖于漏源电压的精确检测，以实现高效整流并避免共通故障等风险。其电压关系具体体现在开通和关断阈值的设计上，确保MOSFET在适当时机导通
2025-08-26 10:22
MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的电子器件。它是一种半导体器件，由
2023-08-04 15:24
igbt怎样导通和关断？igbt的导通和关断条件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种晶体管，可以用作开关。IGBT由P型注入区、N型衬底、N型漏源
2023-10-19 17:08
mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。
2024-01-20 17:08
GTO与晶闸管的开通与关断有什么不同之处 GTO（Gate Turn-Off Thyristor）和晶闸管（Thyristor）是两种电力电子器件，它们都被广泛应用于交流电路的控制中。虽然这两种
2023-09-13 17:08
晶闸管（Thyristor）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电力电子和电路控制领域。它可以用作开关、稳压器、整流器等。在进行详细介绍晶闸管的导通条件和关断条件之前，我们需要先了解一些基础知识
2024-03-12 15:01
。导通后的晶闸管管压降很小，使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流IH一下。
2019-01-19 14:08
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通
2023-02-17 18:11
电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
