的驱动电路时，不同的IGBT分立件和集成模块的开通关断时间建议一般是多少，从哪几个方面考虑其开通关断时间，是否从其电压等级和电流大小，还有什么其他考虑因素？
2024-02-25 11:06
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/
2021-10-28 08:37
使MOSFET正常开通关断的 但是带上27Ω负载，GS极两端电压为： 想问一下这是什么原因？ 或者说哪位大佬可以提供一下成熟的DG极驱动方案参考一下
2023-12-17 11:22
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
MOS管的开通/关断原理
2021-03-04 08:28
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通
2011-06-10 10:12
应用角度来看，驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件，其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压（通常称之为VGS）来决定。 从图1模型来看，有几个参数是我们需要
2023-02-27 16:14
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时，Vgs
2018-10-24 14:55
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号
2023-02-27 16:03
