我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善，可以达到数百K，甚至上M；但我们想想，当我们需要MOSFET有
2010-12-23 11:23
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06
要了解驱动栅极所需的条件，您需要知道MOSFET的开关速度。您必须在低开关损耗（需要快速的上升和下降时间）和低EMI（需要缓慢的上升和下降时间）之间进行设计权衡。
2021-05-19 06:56
碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，MOSFET的
2023-06-02 14:09
TTL驱动电路驱动；其次MOSFET的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电 荷存储效应；另外MOSFET没
2023-04-10 11:18
图1显示了同步降压转换器的原理图以及其开关节点波形。高侧MOSFET的开关速度和高侧/低侧MOSFET与印刷电路板(PC
2019-08-23 16:45
可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC
2024-10-22 16:09
了首选之一。 MOSFET的基本原理 MOSFET是一种电压控制型半导体器件，其工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。MOSFET具有以下特点： 高速开关
2024-11-05 14:39
具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器 日前，Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列，该系列产品可提供
2009-12-03 10:03
