情况下，系统必须独立控制哪些负载开启，何时开启，以什么速度开启。利用分立MOSFET电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立MOSFE
2022-11-17 08:05
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2021-10-28 06:56
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MOSFET容易受到干扰误导通，而跨导和工艺
2017-03-06 15:19
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2017-01-09 18:00
MOSFET 因导通内阻低、 开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常根据电源 IC 和
2022-01-03 06:34
分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载
2018-09-03 15:17
开关MOSFET中的噪声（STGF20NB60S）以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28
0 引言SiC-MOSFET 开关模块（简称“SiC 模块”）由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-
2025-04-23 11:25
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
速度。更能说明器件实际开关速度的是器件的栅极电荷参数和内部栅极电阻，Rg，这两个参数几乎不受这些技术指针差距 (specmanship) “游戏”的影响。图2：定义MOSFET
2018-09-05 09:59
