我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善，可以达到数百K，甚至上M；但我们想想，当我们需要MOSFET有
2010-12-23 11:23
MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点（POL）电源应用的
2010-03-19 15:08
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
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2012-08-14 21:05
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06
要了解驱动栅极所需的条件，您需要知道MOSFET的开关速度。您必须在低开关损耗（需要快速的上升和下降时间）和低EMI（需要缓慢的上升和下降时间）之间进行设计权衡。
2021-05-19 06:56
0 引言SiC-MOSFET 开关模块（简称“SiC 模块”）由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-
2025-04-23 11:25
电路设计3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解4、频率设计讲解5、吸收电路设计及作用讲解6、功率开关管MOSFET的开关速度，发热因素及选型讲解7、输出电路设计8、
2019-11-20 18:06
碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，MOSFET的
2023-06-02 14:09
由于SiC MOSFET开关速度较快，使得桥式电路中串扰问题更加严重，这样不仅限制了SiC MOSFET开关
2018-01-10 15:41
