深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26
图1中的仿真电路图是升压转换器功率级的仿真电路图，此处用于评估栅极电阻对功率级的影响。在此仿真中，我将瞬态电压、电流和导通功率的大小视为潜在可靠性和EMI问题的指标;与组件选择相关的问题;和布局寄生效应。因此，应该很好地理解MOSFET模型以及所有组件模型。
2023-06-28 10:29
, 通常表示为V th ），这一参数直接决定了MOSFET的开关行为和工作模式。下面，我们将深入探讨MOSFET阈值电压的概念、影响因素，并尝试在有限的篇幅内尽可能详尽
2024-07-23 17:59
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的
2023-02-09 10:19
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的
2023-02-09 10:19
电力MOSFET开关概述及工作原理
2019-04-19 06:33
讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元，所以理论研究只适用于功率单元模型。
2018-09-17 09:22
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
MOSFET作为一种电子开关，主要利用了其在栅源电压控制下的导电能力，通过改变栅源电压 VGS，使得元件在短路（ON）和开路（OFF）状态间转变，从而实现高效的电压控制和电源管理。MOSFET在
2023-11-25 11:30 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
