深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26
2022-12-02 12:44
图1中的仿真电路图是升压转换器功率级的仿真电路图，此处用于评估栅极电阻对功率级的影响。在此仿真中，我将瞬态电压、电流和导通功率的大小视为潜在可靠性和EMI问题的指标;与组件选择相关的问题;和布局寄生效应。因此，应该很好地理解MOSFET模型以及所有组件模型。
2023-06-28 10:29
, 通常表示为V th ），这一参数直接决定了MOSFET的开关行为和工作模式。下面，我们将深入探讨MOSFET阈值电压的概念、影响因素，并尝试在有限的篇幅内尽可能详尽
2024-07-23 17:59
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的
2023-02-09 10:19
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的
2023-02-09 10:19
来说，对于其他MOSFET来说它大约是1kOhm，它也是2kOhm和3kOhm。我没有获得与所有MOSFET相同的性能。我认为这是因为漏极与源阻抗的这种变化。我从未见过MOSFET的这种特殊
2019-06-19 11:44
开关MOSFET中的噪声（STGF20NB60S）以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28
电力MOSFET开关概述及工作原理
2019-04-19 06:33
