前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特
2018-11-28 14:29
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOS
2019-04-10 06:20
，功率MOSFET很少接到纯的阻性负载，大多数负载都为感性负载，如电源和电机控制；还有一部分的负载为容性负载，如负载开关。既然功率MOSFET所接的负载大多数为感性负载，那么上面基于阻性负载的
2016-12-16 16:53
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
过程中MOSFET开关损耗功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是：下面的开通过程对应着BUCK变换器上管的开通状态，对于下管是0电压开通，因此
2025-02-26 14:41
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。trr是二极管开关
2018-11-27 16:40
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师对于MOSFET开关过程仍然有一些疑惑，本文先简单介绍常规的基于栅极电荷的
2016-11-29 14:36
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗特性前面
2018-12-03 14:29
