如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET
2018-08-30 15:47
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什
2017-05-31 10:04
今天开始看电源界神作《开关电源设计》（第3版），发现第9页有个名词，叫“交流开关损耗”，不明白是什么意思，有没有哪位大虾知道它的意思啊？谢谢了！！
2013-05-28 16:29
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2021-03-11 06:04
我用IGBT设计了D类功放，用的管子是FGH60N60SFD，开关频率为300kHz，上网查资料发现IGBT的开关损耗为图中公式，查找FGH60N60SFD文档后计算开关损耗为300000*2.46/1000/3.1
2019-07-25 10:16
