MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）的开关损耗是电子工程中一个关键的性能参数，它直接影响到电路的效率、热设计和可靠性。下面将详细阐述
2024-09-14 16:11
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的
2022-10-19 10:39
理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30
MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的
2012-04-12 11:04
。此外，今天的开关元件没有非常高的运行速度，不幸的是，在转换过程中不可避免地会损失一些能量（幸运的是，随着新电子元件的出现，这种能量越来越少）。让我们看看如何使用“LTspice”仿真程序来确定 SiC MOSFET 的开关
2022-08-05 08:05
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18
MOSFET的操作可以分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流通过通道，但通道电阻相对较高。通道上的电压和通过通道的电流都很大，导致晶体管内的功耗很高。在开关
2024-06-13 11:38 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21
功率器件（MOSFET/IGBT） 是开关电源最核心的器件同时也是最容易损坏的器件之一。在开关电源设计中，功率器件的测试至关重要，主要包括开关损耗测试，Vds peak
2025-05-14 09:03
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的
2017-11-10 08:56
