关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在
2022-08-01 09:51
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个
2009-11-10 10:53
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06
MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究 1 引言 MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于
2009-11-02 10:04
功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET
2009-06-30 13:38
为了实现良好的并联设计，传统上选择 MOSFET——通过筛选——基于它们的阈值电压相似，以确保它们同时导通。然而，屏蔽 MOSFET 会增加成本和复杂性，并且仍然容易受到温度不稳定性的影响。因此，考虑到上述问题，专用
2022-08-04 08:59
SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 仿真只是工具，仿真无法替代实验，仿真只供参考，切勿痴迷迷信。以上寒暄既毕，我们直奔主题： 1、选取仿真研究对象 SiC MOS
2021-03-11 09:22
电阻有并联电路，电容也有并联电路。但是，由于电容的特性比电阻复杂得多，因此电容并联电路也比电阻并联电路复杂，这里的复杂是
2022-02-12 11:05
