本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态
2010-11-11 15:34
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在
2022-08-01 09:51
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
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2024-07-13 09:39
从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因，并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析，并辅以仿真说明振荡产生的原因。
2010-09-30 16:29
有的文献说mosfet并联缓冲电容，可以提升效率？？ 是否有这一说法
2017-02-22 18:19
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个
2009-11-10 10:53
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2024-08-29 10:37
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06
