搞电力电子的应该都知道IGBT和MOSFET属于全控型电力电子器件，在应用的时候把它当作一个开关就可以了，但估计很少人能够说出IGBT和MOSFET工作区的命名和区别，同时由于不同参考书对
2021-01-01 17:34
再次可以看到在关断过程中也有类似的四个明显不同的区间，但是它们都很大程度上受到栅极驱动器电路特性的影响。在通常的应用中，栅极驱动电压相对于栅极阈值会提高到较高水平，以便让 MOSFET 充分导通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-03-25 10:40
在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA（Safe Operation Area）图片，这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠
2023-05-15 16:16
的工作状态及工作条件对于理解和设计相关电路至关重要。以下是MOSFET的三种主要工作状态及其工作条件的介绍。 一、
2024-10-06 16:51
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，其工作原理与普通MOSFET类似，但
2024-07-11 15:12
Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后，Rds(ON)的值不是一成不变的，主要取决于VGS的值。
2023-05-26 17:29
MOSFET工作在饱和区时，具有信号放大功能，栅极的电压和漏极的电流基于其跨导保持一定的约束关系，栅极的电压和漏极的电流的关系就是MOSFET的传输特性。
2023-11-27 18:03
功耗是指MOSFET在指定的热条件下可以连续耗散的最大功率。对于MOSFET驱动器而言，其功耗主要由三部分组成：驱动损耗、开关损耗和导通损耗。这些损耗的产生与MOSFET的工作
2024-10-10 15:58
