毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电脉宽需要达到纳秒级别我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲，然后用pwm芯片来控制开关管的导通现在的问题是，纳秒级别，也就是100MHz左右的频率，用mosfet和基于dds芯片产生的pwm控制信号可以完成这样的频率要求吗？
2016-04-21 16:01
搞电力电子的应该都知道IGBT和MOSFET属于全控型电力电子器件，在应用的时候把它当作一个开关就可以了，但估计很少人能够说出IGBT和MOSFET工作区的命名和区别，同时由于不同参考书对
2021-01-01 17:34
对于大功率应用，如电网转换、电动汽车或家用电器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有许多优点，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的通态电阻。然而，SiC MOSFET都有他们自己的担忧的问题，包括
2017-10-10 09:13
再次可以看到在关断过程中也有类似的四个明显不同的区间，但是它们都很大程度上受到栅极驱动器电路特性的影响。在通常的应用中，栅极驱动电压相对于栅极阈值会提高到较高水平，以便让 MOSFET 充分导通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-03-25 10:40
对于大功率应用，如电网转换、电动汽车或家用电器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有许多优点，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的通态电阻。
2017-11-01 11:47
