再次可以看到在关断过程中也有类似的四个明显不同的区间，但是它们都很大程度上受到栅极驱动器电路特性的影响。在通常的应用中，栅极驱动电压相对于栅极阈值会提高到较高水平，以便让 MOSFET 充分导通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05
功耗是指MOSFET在指定的热条件下可以连续耗散的最大功率。对于MOSFET驱动器而言，其功耗主要由三部分组成：驱动损耗、开关损耗和导通损耗。这些损耗的产生与MOSFET的工作
2024-10-10 15:58
以上就是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态基本工作原理，还有必要关注MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。
2023-06-03 11:22
集成电路、功率电子、模拟电路等领域扮演着至关重要的角色。本文将详细阐述MOSFET的结构和工作特性，并通过数字和信息进行具体说明。
2024-05-28 14:35
在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs（
2024-09-29 09:53
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET
2022-09-06 10:53
符号。不同之处在于体二极管和箭头符号相对于端子的方向。图3：P沟道和N沟道MOSFET的原理图。注意体二极管和箭头相对漏极（D）和源极（S）端子的方向。极性和MOSFET工作特
2021-04-09 09:20
（D）和源极（S）端子的方向。极性和MOSFET工作特性极性决定了MOSFET的工作
2018-03-03 13:58
