MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通电压与漏电流之间的关系是MOS管工作特性的重要方面。以下是对这一关系的分析： 一、MOS管的导通电压 MOS管的
2024-11-05 14:03
硅二极管的导通电压是一个关键的参数，它决定了二极管何时开始导电。在大多数情况下，硅二极管的导通电压被称为“门槛电压”或“
2024-10-14 17:08
导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生
2022-01-29 15:49
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导
2018-03-30 16:21
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。
2022-11-14 09:05
MOSFET的选型需要考虑最大漏极－源极间电压、峰值电流、导通电阻Ron的损耗、封装的最大容许损耗等。
2020-04-05 10:54
