的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的
2023-02-27 11:52
比如3205的NMOS的Vgs门槛电压是min 2v-----max4v的范围。我不太理解，究竟是最小工作电压是2V，满负荷工作电压是4V呢，还是说因为工艺问题，某些管子的导
2019-05-28 01:46
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的
2018-11-30 11:34
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-
2019-04-09 04:58
导通电压是否为Vgs?附件有规格书，查看下，谢谢！
2017-05-10 10:30
- ID特性 SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si-MOSFET在150°C时
2023-02-07 16:40
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-
2019-05-07 06:21
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS
2017-12-18 13:58
。问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题？问题分析：检查数据表中不同的VGS的导通
2016-12-21 11:39
