继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后，本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容：MOSFET在结构上存在下图所示
2023-02-09 10:19
的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，
2016-12-23 14:34
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容
2021-01-08 14:19
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区
2021-05-02 11:41
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容
2018-07-13 09:48
MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSF
2018-11-21 15:52
SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ，以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS
2022-07-07 09:55
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19
