，来理解这个参数所设定的含义。数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS电压
2016-09-06 15:41
MOSFET：AON6260，数据表中，阈值电压VTH定义为最小的栅极偏置电压，最小值1.5V，典型值2V，最大值2.5V，测试电路如图1所示。可以看到，测试的条件为I
2016-11-08 17:14
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS
2016-12-21 11:39
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。因此，晶体管的直流偏置电压可以这么定义：晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流
2019-05-23 08:51
率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流IAS的额定值，记得当时作者就看得云里雾里、一脸茫然，后来一直想弄明白这些电流的定义
2016-08-15 14:31
极电阻 RCH : 沟道电阻 RJFET : JFET区电阻 REPI : 硅片顶层电阻，外延硅epi，epi控制着MOSFET可以承受的阻断电压的值 RSUBS : 硅衬底电阻，epi从它上面
2016-10-10 10:58
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相线
2021-07-27 06:44
