本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电
2008-08-12 08:39
负电压会变为零。该电压称为夹断电压(pinch-off voltage)。N沟道耗尽型MOSFET也适用于正电压，所以当
2022-09-13 08:00
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
，VP为夹断电压（ID=0）。 耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在
2020-07-06 11:28
。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图1.（b）所示。 (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图1. N沟道
2018-08-07 14:16
，来理解这个参数所设定的含义。数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为I DSS 。数据表中标称BVDSS电压
2023-02-20 17:21
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间
2019-05-02 09:41
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
