率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流
2016-08-15 14:31
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18
在dq坐标系下，永磁同步电机的电压方程和转矩方程可以写为：p为微分算子，p=d/dt，pn为电机极对数。采用id=0的矢量控制策略，永磁同步电机的电压和转矩方程可以简化为：如果采用内置式永磁同步电机
2021-08-27 07:26
例如，大多数部件中都有FET“封装电流额定值”，这个值同与周围环境无关，并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏，而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件
2022-11-18 07:01
]>>[r, p, k] = residue(b,a)3.solve符号解方程(组)——使用最多的g = solve(eq1,eq2,...,eqn,var1,var2,...,varn)注意
2012-03-08 16:31
提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档文章目录前言一、磁链方程前言异步电机转子磁场定向控制提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考一、磁链方程...
2021-09-06 08:19
S型曲线的的方程，在[-5，5]的图形如下图所示：如要将此曲线应用在步进电机的加、减速过程中，需要将方程在XY坐标系进行平移，同时对曲线进行拉升变化：其中的A分量在y方向进行平移，B分量在y方向进行
2021-07-08 09:41
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
典型应用降压 - 升压配置模拟调光，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-16 08:35
