转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅F
2022-11-17 06:32
通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的
2020-12-28 06:00
`<div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间 肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间，也就是肖特基二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间
2018-11-02 11:54
支持大功率、小功率快恢复二极管FRD和肖特基二极管的TRR反向恢复时间测试,且支持MOSFET/IGBT的寄生二极管/内建二极管。该系统设备可以实时观察测试曲线，存储测试数据，自动分析
2023-01-15 09:31
加上反向偏压，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。由于肖特基二极管仅靠一种载流子(电子)导电，其反向恢复时间缩短到10ns以内，正向导通压降仅为0．4V左右，整流电流却可达几百至几千安培，这些优良特性
2021-05-14 08:11
引言如果我们要知道二级管中的限幅与稳压的区别，那么我们就先要知道关于二级管的一个重要特性。就是关于它的正向特性与反向击穿特性。二级管
2021-11-15 07:53
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快
2021-09-09 06:52
快恢复二极管工作原理及特点作用快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中
2021-11-12 06:34
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语
2022-11-18 08:05
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
