本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于
2023-02-10 09:41
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于
2020-12-21 14:25
我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的
2023-02-10 09:41
在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，
2023-02-13 09:30
上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试，介绍了“在桥式电路中，恢复特性可通过使用高速
2023-02-10 09:41
本文的关键要点・在LLC转换器中，如果偏离预期的谐振条件，MOSFET体二极管的反向恢复电流会引发直通电流，这可能会造成开关损耗增加，最坏的情况下可能会导致MOSFET损坏。
2023-02-13 09:30
通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的
2020-12-28 06:00
现代集成电路中MOSFET的体二极管的反向恢复特性对系统安全具有重要影响，本文探讨了Diode的反向恢复特性的机理和模型
2025-01-03 10:36
过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性 某些情况下，即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗”。本文就其中一个原因即误启动现象进行说明。 什么是误启动现象 误启动
2020-12-16 15:03
反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到
2023-02-23 15:50
