本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复
2025-03-26 16:52
NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第二部分，将重点介绍安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的动态特性。
2023-06-16 14:39
MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安森美提供的全方位宽禁带
2023-06-16 14:40
。MOSFET的动态特性及其相关参数对于理解其在电路中的行为和优化系统性能至关重要。以下是对电力MOSFET动态
2024-09-13 14:21
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC
2023-12-21 11:15
MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性
2018-06-29 11:10
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度
2023-02-09 10:19
