BTD25350双通道隔离,原方带死区时间设置,副方带米勒钳位功能,非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器,峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器, 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右,一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT,劣势是器件多,硬件设计复杂,效率低,失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件,比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度,更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
行车记录仪在过去常常遭遇分辨率不清晰、死机、卡顿和功耗过高等问题,此外还存在成本较高的问题。 为了解决这些问题,行车记录仪迎来了新的解决方案。 首先是采用高性能处理器,确保流畅的运行,告别
2023-09-20 19:02 深圳市智物通讯科技有限公司 企业号