直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的PN结应该正偏，集电极-基极之间的PN结应该反偏
2019-05-23 08:51
电压负反馈偏置电路图
2009-11-25 09:34
由于功放常常使用PHEMT类型的晶体管，因此很多时候会使用负的偏置电压，为此设计者需要设计电源管理电路为其提供负压。本文总结了一些注意事项，供大家参考。
2021-07-27 06:47
的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结通过金属物短路，从而避免寄生三极管的意外导通。当栅极没有加驱动电压时，功率MOSFET通过反向偏置
2016-09-06 15:41
对地的交流信号时，则只能放大正半波或负半波，另一半波会因为截止而产生严重失真。为了得到不失真的交流放大信号，需要在输入端叠加一个偏置电压，一般为1/2 VCC。若在运放的一端输入对地偏置...
2021-12-29 07:08
对地的交流信号时，则只能放大正半波或负半波，另一半波会因为截止而产生严重失真。为了得到不失真的交流放大信号，需要在输入端叠加一个偏置电压，一般为1/2 VCC。若在运放的一端输入对地偏置1/2 VC...
2021-12-27 06:49
转载文章来自：MOSFET理解与应用：Lec 12—一篇文章搞定共源级放大电路https://baijiahao.baidu.com/s?id=1616701539915827630&wfr
2021-12-29 06:44
MOSFET：AON6260，数据表中，阈值电压VTH定义为最小的栅极偏置电压，最小值1.5V，典型值2V，最大值2.5V，测试电路如图1所示。可以看到，测试的条件为I
2016-11-08 17:14
图1：灌电流网络最终MOSFET（金氧半场效晶体管）源电压VS以及RSET电阻决定着各柱上的灌电流（sink current）；通过去除来自外部电流沉柱的反馈(即所有N>1)，已失去对VSN
2022-11-17 07:20
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
