一、概述1、结合8051介绍单片机C语言的优越性：·无须懂得单片机的具体硬件，也能够编出符合硬件实际的专业水平的程序； ·不懂得单片机的指令集，也能够编写完美的单片机程序； ·不同函数的数据
2021-11-30 06:25
大家都知道，工业革命中所有机械的动力来源是电动机，对于直流电机的控制，可见我的博客。对拖动大负载场合的三相电机。如何快速把调速性能优越的SVPWM(空间电压矢量脉冲宽度调制)算法用出来，编程实现呢？
2021-09-06 06:24
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
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2012-08-16 10:59
交流电源输入经T1进行滤波后分成两路输出，一路去降压变压器T3，在T3的初级回路中串人了双向晶闸管KS，用来改变变压器T3的初级交流功率。另一路通过电容C1降压后进行整流，并由VD1稳压后给触发控制电路提供直流工作电压。R3、C3、VQ3与变压器T2组成一弛张振荡电路。R2、R4与VQ1、VQ2组成电流源，给电容C3恒流充电。当C3两端的电压被充至VQ3击穿电压时，C3即通过VQ3的发射极、基极和变压器T2的初级线圈放电，在变压器T2的次级得到晶闸管KS的触发脉冲，控制晶闸管KS导通，使变压器T3工作。在变压器T3的次级，经整流、滤波后得到功率放大器所需正、负对称的直流电压。电容C3两端的电压放电至VQ3的谷点电压时，VQ3的发射极与基极间关闭，并准备下一周期电容C3的充放电。R6～R9、VQ4、VD2与W1等组成电压比较放大电路，调整W1可改变输出电压，并通过IC1去控制VQ1、VQ2电流源的电流达到改变C3的充放电时间，控制晶闸管VKS的导通角，从而改变变压器T3的初级交流功率，在次级得到恒定的输出电压，保证了功率放大器的瞬间功率。
2021-05-11 06:06
2.4A同步升压电路，效率高达95%的电源芯片，SOP-8封装，联系QQ:947003649
2016-09-08 17:48
大家好，我是芯知识学堂的SingleYork，今天要给大家分享的是AS4950这款直流有刷电机芯片的应用（控制直流电机和步进电机），现已量产，大批量供货。AS4950 是一款具有优越性能的全桥
2020-12-11 09:33
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET
2011-08-17 14:18
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲
2019-04-19 17:45
`对于目前应用范围比较广泛以及领域比较众多的插头来说，其实主要还是要注意对环境的改进和保护，如何能够更加稳定的提升物理性能的稳定。首先要对压力的整体属性以及应用领域来进行改进，毕竟在环境及温度不断
2017-04-15 16:35
